BFR93-GS08 R1 的参数 |
| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) |
20V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) |
12V |
| 集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) |
40mA |
| 截止频率fT
Transtion Frequency(fT) |
5GHz |
| 直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) |
25~150 |
| 管压降VCE（sat）
Collector-Emitter Saturation Voltage |
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| 耗散功率Pc
Power Dissipation |
200mW/0.2W |
| Description & Applications |
NPN Silicon Planar RF Transistor Applications RF amplifier up to GHz range specially for wide band antenna amplifier. Features High power gain Low noise figure High transition frequency |
| 描述与应用 |
NPN硅平面RF晶体管 应用 RF放大器高达GHz范围内，专为宽波段天线放大器。 特点 高功率增益 低噪声系数 高转换频率 |
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